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Si2303BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 10 thru 6 V
8
T C = - 55°C
6
4
2
0
5V
4V
2 V, 3 V
6
4
2
0
25 °C
125 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
300
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
250
0.6
0.4
0.2
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
200
150
100
50
C oss
C iss
0.0
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 1.7 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 1.7 A
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 72065
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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